中微公司尹志堯：公司等離子體刻蝕設(shè)備已應(yīng)用于128層及以上的量產(chǎn)

3月19日，中微公司董事長(zhǎng)、總經(jīng)理尹志堯3月19日在2023年度業(yè)績(jī)說(shuō)明會(huì)上表示，在邏輯集成電路制造環(huán)節(jié)，公司開(kāi)發(fā)的12英寸高端刻蝕設(shè)備已運(yùn)用在國(guó)際知名客戶最先進(jìn)的生產(chǎn)線上并用于5納米、5納米以下器件中若干關(guān)鍵步驟的加工；同時(shí)，公司根據(jù)先進(jìn)集成電路廠商的需求持續(xù)進(jìn)行設(shè)備開(kāi)發(fā)和工藝優(yōu)化。在3D NAND芯片制造環(huán)節(jié)，公司的等離子體刻蝕設(shè)備已應(yīng)用于128層及以上的量產(chǎn)，同時(shí)公司根據(jù)存儲(chǔ)器件客戶的需求正在開(kāi)發(fā)極高深寬比的刻蝕設(shè)備和工藝；公司也根據(jù)邏輯器件客戶的需求，正在開(kāi)發(fā)更先進(jìn)刻蝕應(yīng)用的設(shè)備。