文|半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫
這是鎧俠的多事之秋，繼三家分拆的消息之后，其N(xiāo)AND工廠又檢出原料污染問(wèn)題。
2月初，鎧俠發(fā)表聲明，在三重縣四日市工廠和巖手縣北上工廠，由于自家工廠在制造過(guò)程中使用的材料受到污染，影響到了3D NAND芯片生產(chǎn)，并表示將會(huì)體現(xiàn)在第一季度的出貨量上。而西部數(shù)據(jù)（Western Digital）就與鎧俠的合資閃存制造設(shè)施的生產(chǎn)狀況表示，西部數(shù)據(jù)目前對(duì)影響的評(píng)估是其閃存可用性減少了至少 6.5 EB（1 EB=1024 TB）。
因?yàn)?D NAND 閃存生產(chǎn)周期時(shí)間長(zhǎng)，一般需要兩到三個(gè)月，因此本次原料問(wèn)題導(dǎo)致的供應(yīng)中斷將可能在生產(chǎn)重啟后的幾個(gè)月內(nèi)展現(xiàn)出影響。在原料受污染問(wèn)題出現(xiàn)后，Trend Force預(yù)測(cè)今年第二季度閃存價(jià)格將上漲5%至10%，并最終影響基于SSD和NAND閃存的產(chǎn)品。
由于原料污染系不明原因，鎧俠還沒(méi)有對(duì)本次問(wèn)題的后果做出估計(jì)，如果鎧俠發(fā)布對(duì)其自身生產(chǎn)影響的確切估計(jì)，閃存價(jià)格有可能再次上漲。
英特爾NAND Flash部門(mén)在2021年下半年被SK海力士收購(gòu)，收購(gòu)結(jié)束之后，SK海力士的NAND Flash份額或?qū)④S升第二位
在NAND Flash領(lǐng)域，鎧俠和西部數(shù)據(jù)市占率超過(guò)3成。NAND Flash技術(shù)壁壘高，同時(shí)也有較強(qiáng)的價(jià)格波動(dòng)特性。2021年下半年以來(lái)，智能手機(jī)、電視等消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品的出貨量低于預(yù)期，同時(shí)存儲(chǔ)卡和U盤(pán)在內(nèi)的零售存儲(chǔ)產(chǎn)品需求也身處低迷。咨詢機(jī)構(gòu)稱，2022年第一季整體NANDFlash價(jià)格跌幅將收斂至8~13%，由于供給而導(dǎo)致的價(jià)格上漲成為今年NAND的一個(gè)小插曲。這邊水深火熱，三星和SK海力士則穩(wěn)步前進(jìn)，同行的悲歡并不相通。
技術(shù)霸主爭(zhēng)奪戰(zhàn)少了誰(shuí)？
本月初，三星電子計(jì)劃在2022年底或2023年上半年推出200層以上NAND閃存，并且明年上半年開(kāi)始批量生產(chǎn)。三星曾計(jì)劃在去年年末量產(chǎn)176層NAND，但目前已經(jīng)推遲到了今年第一季度。
對(duì)比三星的NAND技術(shù)，美光稍稍領(lǐng)先，已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)176層NAND。三星加快200層以上NAND閃存量產(chǎn)的部分，也是為了奪回被美光奪走的技術(shù)領(lǐng)先地位。三星將在128層的單片存儲(chǔ)器上疊加96層，推出224層的NAND閃存。與176層相比，224層NAND閃存的生產(chǎn)效率和數(shù)據(jù)傳輸速度將提高30%。
在技術(shù)研發(fā)上，SK海力士和美光也毫不退讓。
在2019年SK海力士發(fā)布的技術(shù)路線圖中，SK海力士2020年計(jì)劃實(shí)現(xiàn)176層研發(fā)，2021年年中完成量產(chǎn)出貨。果不其然，2020年12月，SK海力士介紹首家報(bào)道了其176層NAND研發(fā)成果，第三代4D NAND閃存達(dá)到業(yè)界最高水平，比上一代128層產(chǎn)品提高了35%以上生產(chǎn)率，新產(chǎn)品的讀取速度比上一代加快20%，數(shù)據(jù)傳輸速度達(dá)到每秒1.6GB，提高了33%。
回顧來(lái)看，其實(shí)際進(jìn)度完全符合路線圖計(jì)劃。另外，根據(jù)其路線圖，SK海力士預(yù)計(jì)在2030年推出800+層的閃存，可以輕松制造出100-200TB容量的SSD硬盤(pán)。
2020年年底，美光宣布可以出貨176層3D NAND芯片，與上一代的96層3D NAND相比，容量提高了近2倍。2021 Computex上美光宣布，將發(fā)布采用176層3D NAND的PCIe 4.0SSD，還有性能更高的智能車(chē)載系統(tǒng)NAND芯片，以及密度更大的DRAM內(nèi)存。美光公司此前還表示，將努力提高在整個(gè)行業(yè)的利潤(rùn)中的份額，而非其在行業(yè)產(chǎn)量中的份額。這表示，美光正在低調(diào)做事，在技術(shù)特別是堆疊能力上，美光毫不遜色。
反觀鎧俠和西數(shù)，NAND閃存是由東芝于1987年首次提出的，雖然鎧俠在2016年就已經(jīng)展望了200層以上的堆疊，但是后來(lái)被美光等后來(lái)者搶先研發(fā)。
2019年鎧俠和西部數(shù)據(jù)基于96層QLC單顆Die容量實(shí)現(xiàn)了1.33TB容量，2020年初推出的第五代3D NAND技術(shù)，采用的是112層堆疊BiCS5，初步量產(chǎn)的是512GB TLC產(chǎn)品，已經(jīng)面向消費(fèi)類(lèi)的產(chǎn)品發(fā)售，QLC 單顆Die容量將達(dá)1.33TB，而新一代BiCS6還未公開(kāi)透露消息。
身處迷霧的2022產(chǎn)量
三星在2021年中半導(dǎo)體業(yè)務(wù)成績(jī)卓然，超過(guò)英特爾成為全球第一，但是三星存儲(chǔ)業(yè)務(wù)的營(yíng)收在2021年第四季度已經(jīng)出現(xiàn)了7%的環(huán)比下降，原因包括全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈問(wèn)題以及平均售價(jià)的下降等。
面對(duì)景氣不定的存儲(chǔ)業(yè)務(wù)，三星在年報(bào)中表示，將在2022年第一季度采取穩(wěn)中有進(jìn)的策略，通過(guò)優(yōu)化產(chǎn)品組合和提升生產(chǎn)靈活度來(lái)規(guī)避風(fēng)險(xiǎn)。NAND業(yè)務(wù)會(huì)提升生產(chǎn)的靈活度，以最小化供應(yīng)鏈中斷的風(fēng)險(xiǎn)。
去年年底，SK海力士完成收購(gòu)英特爾NAND閃存及SSD業(yè)務(wù)案的第一階段，SK海力士成立了美國(guó)子公司Solidigm，預(yù)期公司今年的NAND閃存銷(xiāo)售量比去年增加約1倍。面對(duì)今年第一季度的DRAM跌價(jià)風(fēng)潮，SK海力士將降低DRAM出貨量以保證利潤(rùn)，增產(chǎn)NAND產(chǎn)量搶占市占率。SK海力士預(yù)計(jì)，2022財(cái)年NAND需求同比將增長(zhǎng)約30%，年底之前176層NAND產(chǎn)品占公司產(chǎn)能的70%。
在鎧俠和西數(shù)NAND產(chǎn)線遭受污染之后，美光通知市場(chǎng)將對(duì)NAND芯片合約、現(xiàn)貨價(jià)上調(diào)。其中，合約價(jià)上漲17%至18%，現(xiàn)貨價(jià)漲25% 以上，預(yù)計(jì)在3月就可以看到明顯的市場(chǎng)反應(yīng)。西部數(shù)據(jù)與鎧俠日本合資工廠影響到兩家公司2022年Q1及Q2兩個(gè)季度3.7%及全年1.7%產(chǎn)能，產(chǎn)能增加將從27.4%降低至21.2%，NAND全產(chǎn)業(yè)增長(zhǎng)今年將從32.0%降至30.0%。事故之后，西部數(shù)據(jù)首先通知客戶立即提高其所有NAND閃存的價(jià)格，本次事故影響完全消弭預(yù)計(jì)要到2023年年中。
雖然西部數(shù)據(jù)和鎧俠 NAND Flash 運(yùn)營(yíng)的中斷可以被視為負(fù)面影響，但從歷史上看，閃存生產(chǎn)的中斷（地震、停電等）已經(jīng)對(duì) NAND 閃存定價(jià)和相應(yīng)的股價(jià)產(chǎn)生了積極影響。
三星方面近日也出了個(gè)大料，本月初三星電子工會(huì)與公司管理層未能就2021年工資達(dá)成協(xié)議，工會(huì)將向韓國(guó)國(guó)家勞動(dòng)關(guān)系委員會(huì)申請(qǐng)調(diào)解。2月14日，韓國(guó)國(guó)家勞動(dòng)關(guān)系委員會(huì)決定停止調(diào)解三星電子管理層和工會(huì)之間的工資談判。雙方未達(dá)成調(diào)解，三星可能面臨53年來(lái)首次大罷工的威脅。
多起事件疊加，2022 NAND后事如何，還須過(guò)幾個(gè)月分解。