文｜半導體產(chǎn)業(yè)縱橫
過去幾個季度，存儲市場經(jīng)歷了過山車般的波動，尤其是在后疫情時代，用戶對消費電子興趣減弱，整體市場動態(tài)變化，需求降至歷史最低水平。
為了應對這種情況，制造商紛紛通過降價來糾正庫存，一番努力之后，存儲市場終于重新步入上行周期。
然而，存儲行業(yè)的好勢頭未能持續(xù)多久。近日，一些不利的消息又一次傳來，存儲價格再次陷入動蕩之中。這種持續(xù)的波動不僅讓制造商們感到焦慮，也讓消費者和整個電子產(chǎn)業(yè)對存儲市場的未來充滿了擔憂。
01、同存儲類別，價格走勢分析
在存儲產(chǎn)品的世界里，價格的波動往往反映著市場的動態(tài)變化和行業(yè)的發(fā)展趨勢。下表展示了不同產(chǎn)品類別在不同時間段的價格數(shù)據(jù)，反應了存儲市場在最近幾個月的價格走向。
從圖表中可以看出，無論是 DDR、SSD、LPDDR 還是 eMMC 產(chǎn)品類別，其價格走勢在觀察期內均呈現(xiàn)下降趨勢。
對于DDR產(chǎn)品，無論是 DDR4 16Gb 3200 還是 DDR4 8Gb 3200，價格從7月30日到10月8日持續(xù)緩慢下降。這可能是由于存儲技術的不斷進步，新的更高性能產(chǎn)品推出，使得舊款 DDR4 產(chǎn)品面臨競爭壓力，同時市場需求可能沒有明顯增長，導致供大于求，價格逐漸下降。
SSD產(chǎn)品中，OEM SSD 256GB SATA 和 512GB SATA 的價格也在持續(xù)下滑。這主要是因為SSD 的生產(chǎn)成本逐漸降低，同時市場競爭激烈，廠商為了爭奪市場份額，不斷降低價格。
同時LPDDR與eMMC 的產(chǎn)品同樣呈現(xiàn)價格下降趨勢。智能手機等移動設備市場的增長放緩，對 LPDDR 的需求減少。與此同時，隨著市場上出現(xiàn)更先進的存儲技術，對 eMMC 的需求減少。隨著 UFS 等更高性能存儲技術的普及，eMMC 的市場份額逐漸被壓縮。
02、近期存儲價格具體變化
具體到最近兩個月（9月和10月），由于對 PC 和消費電子產(chǎn)品的需求低迷，DRAM 和 NAND 的合約價格出現(xiàn)明顯下降。
9月，DRAM 和 NAND的產(chǎn)品價格跌幅進一步加大。根據(jù)DRAMeXchange 統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，DDR4 8Gb 1Gx8 在 9 月底的合約價相比 8 月底環(huán)比下跌了 17.07%，至 1.7 美元。據(jù)稱，自去年 10 月以來，DRAM 價格一直在穩(wěn)步上漲，但 8 月下跌了 2.38%，這也是 DRAM 報價首次下跌。
與此同時，由于需求疲軟和庫存過剩，TLC NAND 閃存晶圓價格也出現(xiàn)下跌，這也導致 MLC 和 SLC 晶圓價格下跌，例如 128Gb 16Gx8 MLC（主要用于存儲卡和 U 盤等閃存產(chǎn)品）合約價在 9 月下跌 11.44% 至 4.34 美元，而 NAND 價格近半年來一直保持穩(wěn)定。
Trend Force 還提到，DDR4 產(chǎn)品的庫存明顯高于最新的 DDR5，因此DDR5內存價格暫時未受波及。
10月，DRAM與NAND閃存的價格持續(xù)震蕩。根據(jù)近日TrendForce最新內存現(xiàn)貨價格趨勢報告顯示，DRAM方面，國慶黃金周期間現(xiàn)貨市場交易量持續(xù)下滑，年底前難有反彈跡象；NAND Flash方面，買家采購意愿不強，進一步加劇市場供應過剩，具體如下：
10月2日至10月8日，DRAM現(xiàn)貨市場成交量持續(xù)下滑，加上部分模組廠積極去庫存，帶動現(xiàn)貨價格進一步下跌，現(xiàn)貨市場供需格局不變，年底前難有反彈跡象，主流芯片現(xiàn)貨均價（DDR4 1Gx8 2666MT/s）由統(tǒng)計時間上周的1.934美元下跌至當周的1.929美元，跌幅0.26%。
10月2日至10月8日期間，買家對于NAND閃存?zhèn)湄浺庠肝从刑嵘?，當周部分供應商明顯降價銷售，整體市場銷售壓力仍未緩解，但整體狀況仍未見改善，買家采購意愿不強，更加劇了市場供應過剩的局面，512Gb TLC Wafer現(xiàn)貨價格當周下跌0.58%，報2.595美元。
03、存儲廠商，如何應對？
NAND廠商減產(chǎn)，轉生產(chǎn)HBM
由于 IT 行業(yè)需求低于預期，3D NAND 內存價格下跌，主要閃存制造商正在考慮調整產(chǎn)量并減少對非易失性內存的投資。相反，他們可能會加大對 DRAM 生產(chǎn)的投資，因為人工智能行業(yè)對 HBM 內存的需求正在創(chuàng)下紀錄。
目前，所有主要的 3D NAND 制造商（Kioxia、美光、三星和 SK 海力士）都在考慮減少非易失性存儲器的產(chǎn)量，并減少對擴建額外閃存容量的投資。如果他們這樣做，這將穩(wěn)定 3D NAND 的價格，并可能至少在短期和中期內降低 DRAM 的價格。
鑒于目前的市場狀況，三星和 SK 海力士等公司將重點放在 DRAM 上，因為該領域的需求更強勁。據(jù)悉，他們正在探索將部分 NAND 生產(chǎn)線轉換為專注于 DRAM 和 HBM 的可能性，其中包括三星可能轉換其 P4 生產(chǎn)線，以及 SK 海力士計劃對其清州 M14、M15X 和 M16 工廠進行改造。
DRAM廠商轉移產(chǎn)能，擴大DDR5生產(chǎn)
近日，DRAM廠商南亞科表示，由于第三季度銷售量下降了二十個百分點，這使得存貨水平?jīng)]有得到改善。不過，公司會在第四季度積極把 15% 的產(chǎn)能轉向 DDR5。預計從今年 12 月開始，DDR5 產(chǎn)品的貢獻會逐月增加。
南亞科解釋說，第三季出貨量季度減少主要是因為區(qū)域經(jīng)濟下滑以及需求減少。像在美國、日本，市場需求沒有增長，但還有一定支撐；而在中國、歐洲，市場需求明顯疲軟。中國臺灣地區(qū)的市場需求也受到中國大陸市場的影響，呈現(xiàn)衰退態(tài)勢。
所以，南亞科現(xiàn)階段運營的最重要目標是把新制程推向市場，積極推出需求高、成長性好的新產(chǎn)品。
SSD廠商啟動降價策略
近日，全球第一大存儲模組廠商金士頓已經(jīng)啟動了降價策略，開始對中低級產(chǎn)品進行甩賣清庫存。
半導體分析師陸行之指出，中國臺灣存儲模組廠商的庫存普遍高達11個月，一旦傳統(tǒng)DRAM價格下滑，認列庫存損失將成為常態(tài)。
陸行之表示，目前存儲市場庫存爆量，連存儲模組龍頭金士頓也撐不到一個月，選擇降價促銷一堆賣不出去的中低級消費型存儲，他預計，接下來還會有廠商跟進，尤其是要注意威剛、創(chuàng)見、群聯(lián)的動向。
除金士頓外，市場消息稱三星移動固態(tài)硬盤也迎來一輪大降價。據(jù)悉，此前價格一直在1600元左右浮動的三星2TB 移動固態(tài)硬盤 T9，近日產(chǎn)品價格一下子降了300元左右，價格接近1300元了。三星2TB 移動固態(tài)硬盤T7的價格也有所下滑，當前價格不足1000元，而在高峰時期其價格也曾高達1600元。
04、價格漲漲停停，主要受哪些影響？
存儲行業(yè)作為半導體領域的晴雨表，其市場表現(xiàn)與行業(yè)需求息息相關。供應端和需求端的變化都有可能影響存儲行業(yè)的行情走向，如果要探究存儲價格的變化因素，也主要歸因于這兩點。
上半年，存儲行業(yè)明顯復蘇的原因主要有以下兩點。
從需求端來看，人工智能熱潮的推動、消費電子的緩慢復蘇都會推動存儲市場初步回暖。
比如：人工智能帶動的大語言模型等技術的廣泛應用需要大量數(shù)據(jù)存儲和處理；另外經(jīng)歷了長時間的低迷，消費電子行業(yè)在今年步入緩慢復蘇，刺激了存儲行業(yè)的增長，部分廠商加緊備貨。
從供應端來看，存儲廠商減產(chǎn)、產(chǎn)能向高附加值產(chǎn)品轉移也有助于存儲行情走向健康水位。
比如：前期市場下行階段，存儲芯片廠商主動進行減產(chǎn)，以調整市場供需關系。經(jīng)過一段時間的減產(chǎn)，市場供應量逐漸減少，供需矛盾得到緩解，為價格回升和行業(yè)復蘇創(chuàng)造了條件。另外，廠商將部分產(chǎn)能向高附加值產(chǎn)品轉移，如高端的 DDR5 內存、固態(tài)硬盤等。這些產(chǎn)品具有更高的性能和利潤空間，滿足了市場對高端存儲產(chǎn)品的需求，同時也提升了廠商的盈利能力。
然而，時間沒過多久，行業(yè)又吹來了冷風，主要影響因素也是供與需兩點。
從需求端來看，全球經(jīng)濟形勢的不穩(wěn)定、技術更新?lián)Q代、消費電子行業(yè)的實際復蘇情況未及預期都有可能打破存儲市場好不容易恢復的穩(wěn)定格局。
比如：經(jīng)濟形勢存在不確定性，可能影響消費者和企業(yè)信心及支出，對存儲產(chǎn)品需求下降；技術更新?lián)Q代存在不確定性，若新技術發(fā)展不如預期或出現(xiàn)新替代方案，可能影響存儲行業(yè)需求；消費電子行業(yè)的實際復蘇情況未及預期，又導致存儲市場冷風再襲。
從供應端來看，產(chǎn)能恢復過快、行業(yè)競爭激烈都容易使市場再度陷入困境。
比如：在行業(yè)復蘇初期，廠商可能會根據(jù)市場需求的增長預期逐步恢復產(chǎn)能。但如果產(chǎn)能恢復速度過快，超過了需求增長的速度，可能會再次導致市場供過于求，價格下跌。此外，存儲行業(yè)的高利潤吸引了新的競爭者進入市場，不同廠商之間的搶單、壓價等惡性競爭都會對現(xiàn)有廠商的市場份額和價格形成壓力。
05、存儲價格未來走勢預測
短期來看，存儲市場的價格壓力仍將持續(xù)，Q4 DRAM市場僅HBM價格環(huán)比上漲。TrendForce數(shù)據(jù)顯示，今年第四季度通用DRAM的價格預計將比上一季度上漲0%~5%，但隨著HBM在DRAM市場所占份額的上升，包括HBM在內的所有DRAM的平均價格預計將比上一季度上漲8%~13%。
第三季度通用DRAM價格的增長率為8%~13%，但預計第四季度將停滯不前，原因是經(jīng)濟衰退導致消費需求放緩，以及中國存儲器制造商的供應增加。存儲制造商擴大HBM生產(chǎn)將導致通用內存供應量下降，這將成為價格上漲的一個因素，但不足以抵消需求的低迷。TrendForce表示，預計第四季度的合約價格將下降5%~10%。此外，TrendForce還預計，LPDDR5X DRAM的價格將保持不變，因為其庫存水平相對合適。
長期來看，數(shù)據(jù)存儲行業(yè)的市場規(guī)模正持續(xù)擴大，市場需求也在持續(xù)增長。得益于數(shù)字化、云計算、大數(shù)據(jù)和人工智能等技術的普及和應用，大體上看，數(shù)據(jù)存儲需求持續(xù)攀升。SSD正在逐漸取代傳統(tǒng)機械硬盤（HDD）成為主流，SSD在性能、效率、節(jié)能、可靠性等方面已全面超越HDD，并且在價格方面，預計到2026年左右，SSD的價格優(yōu)勢也將大于HDD。此外，全閃存儲、DDR5、DNA存儲、全息存儲等新技術的發(fā)展，也將為數(shù)據(jù)存儲行業(yè)帶來新的增長點。
綜上所述，雖然存儲市場短期內面臨價格走低與需求波動的挑戰(zhàn)，但長期來看，技術創(chuàng)新、市場需求持續(xù)增長以及行業(yè)競爭的推動將共同塑造一個更加多元化和高速發(fā)展的市場。