截至2024年2月26日13:36，上證科創(chuàng)板芯片指數(000685)強勢上漲2.16%，成分股佰維存儲(688525)上漲8.80%，富創(chuàng)精密(688409)上漲7.52%，日聯科技(688531)上漲7.46%，寒武紀(688256)，思特威(688213)等個股跟漲?？苿?chuàng)芯片ETF基金(588290)上漲2.05%，沖擊3連漲。最新價報0.95元，盤中成交額已達4760.92萬元，換手率4.8%。

拉長時間看，截至2024年2月23日，科創(chuàng)芯片ETF基金近1周累計上漲3.23%，漲幅排名可比基金1/2。規(guī)模方面，科創(chuàng)芯片ETF基金最新規(guī)模達9.81億元創(chuàng)近1月新高。

資金流入方面，科創(chuàng)芯片ETF基金最新資金凈流入1152.01萬元。拉長時間看，近5個交易日內，合計“吸金”1858.59萬元。

數據顯示，杠桿資金持續(xù)布局中?？苿?chuàng)芯片ETF基金最新融資買入額達112.62萬元，最新融資余額達2112.83萬元。

華鑫證券表示，存儲芯片價格連續(xù)上漲，有望開啟新一輪景氣度周期。2024年以來DRAM存儲芯片價格連續(xù)上漲，中國客戶接受提價。智能手機廠商與PC廠商預計2024年將迎來需求復蘇，將帶動NANDFlash、DRAM價格上漲。

根據相關機構最新統計數據顯示，截至2024年2月16日的一周，DRAM銷售額同比增長79%，此外13周移動平均線較去年同期飆升79%，根據預測，2024全年，全球DRAM芯片銷售額將增長46%，達到780億美元。根據Gartner此前預測，存儲芯片需求在2024年將強勁復蘇，營收預估將暴增66.3%，存儲行業(yè)有望迎來新一輪景氣度周期。

科創(chuàng)芯片ETF基金緊密跟蹤上證科創(chuàng)板芯片指數，上證科創(chuàng)板芯片指數從科創(chuàng)板上市公司中選取業(yè)務涉及半導體材料和設備、芯片設計、芯片制造、芯片封裝和測試相關的證券作為指數樣本，以反映科創(chuàng)板代表性芯片產業(yè)上市公司證券的整體表現。

科創(chuàng)芯片ETF基金(588290)，場外聯接(A類：017559；C類：017560)。